Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Makogon Y$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
1. |
Makogon Y. Prospectives of innovative development of ukraine's economy [Електронний ресурс] / Y. Makogon // Вісник Київського національного торговельно-економічного університету. - 2013. - № 6. - С. 28-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vknteu_2013_6_3
| 2. |
Bogdanov S. E. Diffusion processes in Ti–Si systems during silicide formation [Електронний ресурс] / S. E. Bogdanov, G. Beddies, M. Daniel, Yu. N. Makogon // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2013. - Т. 11, Вип. 2. - С. 295-302. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2013_11_2_8
| 3. |
Makogon Yu. M. Influence of Copper on А1 to L10 Phase Transformation in Nanoscale Fe50Pt50 Films [Електронний ресурс] / Yu. M. Makogon, O. P. Pavlova, S. I. Sidorenko, T. I. Verbytska, M. Yu. Verbytska, O. V. Fihurna // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 4. - С. 487-498. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_4_7 С помощью методов физического материаловедения изучено влияние дополнительного слоя Cu с низкой поверхностной энергией (<$Esymbol <@>~1,83> Дж/м<^>2) (верхнего, промежуточного и подслоя) в пленочных композициях [Fe50Pt50(15 нм)/промежуточный слой Cu(7,5 нм)/Fe50Pt50(15 нм)]n (где n = 1, 2), верхний слой Cu(7,5 нм)/Fe50Pt50(15 нм) и Fe50Pt50(15 нм)/подслой Cu(7,5 нм) на подложках SiO2(100 нм)/Si(001) на процессы диффузионного фазообразования, формирование фазы L10 и ее структурные и магнитные свойства при отжигах в вакууме. Пленочные композиции получены с помощью метода магнетронного осаждения на термически окисленную (слой SiO2 толщиной 100 нм) подложку монокристаллического Si(001). Последующая термическая обработка длительностью 30 с выполнялась в высоком вакууме <$E1,3~cdot~10 sup -3> Па в температурном интервале 300 - 900 C. Установлено, что во всех пленках после осаждения формируется химически неупорядоченная фаза A1(FePt). Формирование химически упорядоченной фазы L10(FePt) в пленках с промежуточными слоями меди [Fe50Pt50(15 нм)/промежуточный слой Cu(7,5 нм)/Fe50Pt50(15 нм)]n (где n = 1, 2) происходит в процессе отжига при температуре 700 C и сопровождается резким увеличением коэрцитивной силы, которая возрастает также и после последующих высокотемпературных отжигов. В пленках с верхним слоем меди температура формирования фазы L10(FePt) повышается до 900 C. В пленке с подслоем меди образование фазы L10(FePt) рентгенографически не установлено, но небольшое увеличение коэрцитивной силы после отжигов в интервале температур 800 - 900 C може свидетельствовать о прохождении процессов упорядочения.
| 4. |
Makogon Y. Development of Transnational Corporations in the Aspect of Globalization [Електронний ресурс] / Y. Makogon, Y. Kinchevskaya // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Економіка. - 2014. - Вип. 6. - С. 21-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_Ekon_2014_6_6
| 5. |
Makogon Yu. M. Fabrication of nanosize films on the base of scutterudite CoSb3 for thermoelectric devices [Електронний ресурс] / Yu. M. Makogon, S. I. Sidorenko, R. A. Shkarban // Progress in physics of metals. - 2018. - Vol. 19, № 1. - С. 5-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhM_2018_19_1_3 Встановлено закономірності термостимульованого формування фазового складу та структури плівок на основі скутерудиту CoSb3, осаджених за методом вакуумної конденсації, а також досліджено вплив чинника нанорозмірності на їх термоелектричні властивості. Вивчено вплив температури підкладинки та фізико-технологічних параметрів (температура, тривалість, середовище) термічного оброблення на фазовий склад, структуру, рівень механічних напружень і термоелектричні властивості плівок CoSbx товщиною у 30 нм (<$E1,8~symbol Г~x~symbol Г~4,2>; 65 - 81 ат.% Sb). Визначено, що зміна температури підкладинки під час осадження нанорозмірних плівок Co - Sb у концентраційному інтервалі 65 - 81 ат.% Sb уможливлює ргулювання структурного стану. Під час осадження на підкладинки за кімнатної температури формується рентгеноаморфний стан з розширеною областю існування фази CoSb3 75 - 80 ат.% Sb після кристалізації за подальшого нагрівання. У разі збільшення температури підкладинки до <$E200~symbol Р roman C> утворюється кристалічний стан, і закономірності формування фазового складу в плівках Co - Sb характеризуються послідовністю, яка аналогічна діаграмі фазової рівноваги станів для масивної системи Co - Sb з утворенням фази CoSb3 при <$Esymbol Ы~75> ат.% Sb. Встановлено, що плівки на основі CoSb3 термічно стабільні до <$Esymbol Ы~300~symbol Р roman C>. Термічне оброблення плівок Co - Sb з концентрацією Sb 65 - 81 ат.% як у вакуумі, так і в атмосфері азоту за температур вище <$E300~symbol Р roman C> призводить до перебігу фазових перетворень і зміни структури за схемами: <$Eroman {CoSb sub 3 ~+~Sb~symbol О~CoSb sub 3 }> (за <$E300~symbol Р roman C>), <$Eroman {CoSb sub 3 ~symbol О~CoSb sub 3 ~+~CoSb sub 2 }> (за <$E400~-~500~symbol Р roman C>), <$Eroman {CoSb sub 2 ~symbol О~CoSb sub 2 ~+~CoSb}> (за <$E500~-~600~symbol Р roman C>) внаслідок зростаючої зі збільшенням температури відпалювання здатности атомів Sb до сублімації як з рентгеноаморфного або кристалічного станів, так і з антимонідів кобальту CoSb2 і CoSb3. Визначено, що наявність чинника нанорозмірності (однофазної кристалічної структури скутерудиту CoSb3 з розширеною областю існування у плівці з підвищеною структурною дефектністю за рахунок сублімації сурми і зменшення розміру зерен) зумовлює підвищення коефіцієнта термоелектричної ефективности плівок Co - Sb у <$Esymbol Ы~8> разів у порівнянні з масивним матеріалом. Це має практичну значимість у разі використання цих матеріалів для забезпечення автономним живленням малопотужних електронних пристроїв і під час створення плівкових холодильників в елементній базі нанорозмірного діапазону для комп'ютерної техніки та інфрачервоних давачів.
| 6. |
Shamis O. V. Materials science aspects of FePt-based thin films’ formation [Електронний ресурс] / O. V. Shamis, I. A. Vladymyrskyi, Yu. M. Makogon, S. I. Sidorenko // Progress in physics of metals. - 2018. - Vol. 19, № 3. - С. 337-363. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhM_2018_19_3_5 Мета огляду - аналіз основних фізико-матеріалознавчих методів досягнення наперед заданих властивостей нанорозмірних плівкових матеріалів на основі FePt. Досягнення таких властивостей потрібне задля промислового використання даних матеріалів як середовища магнітного запису та зберігання інформації з надвисокою щільністю. Наведено результати досліджень, в яких розглядаються різноманітні підходи до вирішення таких завдань, як зменшення температури впорядкування, формування потрібної кристалографічної орієнтації зерен впорядкованої фази, підвищення коерцитивної сили та забезпечення можливості контрольованої зміни намагнітованості даних матеріалів.
| 7. |
Makogon Yu. V. External economic potential of Ukraine in the Black Sea region [Електронний ресурс] / Yu. V. Makogon // Економічний вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". - 2018. - № 15. - С. 114 -124. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/evntukpi_2018_15_16 Рассмотрены исторические предпосылки к созданию Великого шелкового пути. На основе проведннного исследования в статье проанализированы направления грузоперевозок исторического и современного Шелкового пути, а также предпосылки создания "Нового экономического пояса - Великий шелковый путь". Описаны перспективы Инициативы по развитию Шелкового пути для содействия торговле и инвестициям в Центральной Азии и других странах "Великого шелкового пути". Утверждено, что успешная реализация проекта строительства "Нового шелкового пути" ознаменует в какой-то мере даже новую эпоху - эпоху активной экспансии Европы "молодой и полной сил" Азией. Одна из главных целей инициативы "Один пояс - одна дорога" - это развитие центральных и западных регионов Китая. Китайская инициатива направлена не столько вовне, сколько внутрь самой китайской экономики и китайского общества. Проанализированы предпосылки развития геоэкономического кода Украины и исследуются современные торговые отношения между Украиной и Китаем. Исследованы возможности использование потенциала Украины для реализации концептуальных положений проекта "Один пояс, один путь", а также уделено значительное внимание главным целям инициативы данного проекта. Утверждено, что поскольку потенциал экономического сотрудничества между государствами во многом касается инфраструктурных проектов, Украине следует принимать меры, направленные на развитие собственной инфраструктурной способности. Отмечено, что если план Китая касательно "Великого шелкового пути" будет успешно реализован (который предполагает прямой доступ Китая к Европе через Центральную Азию и Кавказ), Украина будет играть совершенно новую геополитическую роль "первой европейской страны шелкового пути".
|
|
|